一种提升CNFET缓存性能的方法
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摘要

本发明提供一种提升CNFET缓存性能的方法,将访问频繁的数据置于延时短的缓存块,将访问不频繁的数据至于延时长的缓存块,提升了性能,降低了能耗。本发明包括如下步骤:将同一缓存组的缓存块分为短延时组和长延时组;采用二进制表示缓存块的实际延时与基本延时单位比值的整数部分;缓存块的命中信号到达延时存储器时,则延时存储器将对应缓存块的延时二进制数值发送到延时控制器,延时控制器将输入的延时二进制数值保存于本地的计时寄存器,以基本延时单位为周期按1递减计时寄存器;加载新数据到缓存时,如果短延时组存在空闲的缓存块,则新数据加载到该空闲的缓存块中;如果短延时组无空闲缓存块,则新数据加载到长延时组的空闲块中。

基本信息
专利标题 :
一种提升CNFET缓存性能的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111880726A
申请号 :
CN202010567436.4
公开(公告)日 :
2020-11-03
申请日 :
2020-06-19
授权号 :
CN111880726B
授权日 :
2022-05-10
发明人 :
章铁飞
申请人 :
浙江工商大学
申请人地址 :
浙江省杭州市下沙高教园区学正街18号
代理机构 :
杭州天欣专利事务所(普通合伙)
代理人 :
梁斌
优先权 :
CN202010567436.4
主分类号 :
G06F3/06
IPC分类号 :
G06F3/06  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F3/048
基于图形用户界面的交互技术
G06F3/06
来自记录载体的数字输入,或者到记录载体上去的数字输出
法律状态
2022-05-10 :
授权
2020-11-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 3/06
申请日 : 20200619
2020-11-03 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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