一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺
授权
摘要

本发明公开了一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺,属于半导体技术领域,一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺,本方案通过将水和双载传递动子内的二氧化碳同时做为热量载体,随着双载传递动子的上下移动,将热量传递给热源收集箱内的水,既能提高对能量的可持续利用,同时细沙内的水积累到一定的程度滴落后,被已经下沉的双载传递动子包括其表面的变色硅胶吸收,对液态水的回流进行限制,减少液态水的再次进入浓盐酸内,并随着双载传递动子在反应载板和过滤网框之间持续的上下移动,逐渐降低浓盐酸的含水量会,从而提高了硅和氯化氢合成为三氯化硅的效率。

基本信息
专利标题 :
一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111634916A
申请号 :
CN202010586038.7
公开(公告)日 :
2020-09-08
申请日 :
2020-06-24
授权号 :
CN111634916B
授权日 :
2022-05-24
发明人 :
吴剑荣
申请人 :
吴剑荣
申请人地址 :
浙江省金华市义乌市上溪镇祥贝村3组
代理机构 :
北京棘龙知识产权代理有限公司
代理人 :
戴丽伟
优先权 :
CN202010586038.7
主分类号 :
C01B33/03
IPC分类号 :
C01B33/03  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
C01B33/03
使用卤化硅或卤化硅烷的分解,或其以氢作为惟一的还原剂的还原
法律状态
2022-05-24 :
授权
2020-10-02 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 33/03
申请日 : 20200624
2020-09-08 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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