一种集成可控硅晶闸管的双向光触发固态继电器
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摘要
本发明公开了一种集成可控硅晶闸管的双向光触发固态继电器，属于电子技术领域。本发明的双向光触发固态继电器在N型衬底依次扩散出彼此相隔的第一n+阱、第一P型阱、第二P型阱、第三P型阱、第四P型阱区和第四n+阱，并在第一P型阱和第三P型阱上部扩散有第二n+阱和第三n+阱，再在N型衬底上方覆盖绝缘层且绝缘层上开有引线孔，之后再引线孔上方覆盖金属导电层即可。本发明的双向光触发固态继电器不再需要独立的可控硅，独立的可控硅集成进光触发电路中，将整个固态继电器的生产成本降低了30％以上，同时开关时间可达10微秒之内。
基本信息
专利标题 ：
一种集成可控硅晶闸管的双向光触发固态继电器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111863939A
申请号 ：
CN202010637132.0
公开（公告）日 ：
2020-10-30
申请日 ：
2020-07-03
授权号 ：
CN111863939B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
姜岩峰李茹姜淋馨
申请人 ：
江南大学
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号
代理机构 ：
哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭素琴
优先权 ：
CN202010637132.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/74
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2020-11-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20200703
申请日 : 20200703
2020-10-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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