一种双向可控硅低温触发装置
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摘要
本实用新型公开了一种双向可控硅低温触发装置的技术，该触发装置包括光电耦合器电路、共射极放大器电路、220V市电电路、市电降压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路、限流电路、双向可控硅电路、负载电路；光电耦合器电路的输出连接共射极放大器电路，220V市电的P1端经降压电路降压、整流电路整流、滤波电路滤波、稳压二极管稳压为晶体管T1供电，晶体管T1的集电极通过由电阻R2构成的限流电路连接可控硅Triac的栅极，220V市电通过RL连接Triac的第一阳极A1，电容C1的正端、二极管D2的负端、Triac的第二阳极A2同时连接220V市电电路的P2端，构成一个双向可控硅低温触发装置。
基本信息
专利标题 ：
一种双向可控硅低温触发装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020010110.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-03
授权号 ：
CN211046898U
授权日 ：
2020-07-17
发明人 ：
宁永香崔建国崔建峰崔燚李光序
申请人 ：
山西工程技术学院;崔建国
申请人地址 ：
山西省阳泉市开发区学院路1号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020010110.7
主分类号 ：
H03K17/72
IPC分类号 ：
H03K17/72
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法律状态
2020-07-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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