一种纳米Ag-Zn双层点阵涂层的制备方法
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摘要
本发明公开了一种纳米Ag‑Zn双层点阵涂层的制备方法，该方法包括步骤为：单晶硅基底经过表面处理；将AAO膜转移到基底贴合形成目标基底；将目标基底安装于仪器托盘底部，调整工作台使目标基底与溅射锌靶材中轴线重合且保持平行；溅射锌点阵和溅射银点阵；撕去AAO膜。本发明制备的涂层在抑制大肠杆菌和金黄色葡萄球菌等菌体的生长繁殖，同时对于受损细胞的分裂增值有促进作用，有益于伤口中细胞组织的愈合，制备完成的涂层呈圆球状单位元的Ag‑Zn混合点阵；其表面规整光滑且高度有序；且Ag离子与Zn离子分布均匀；涂层为疏水结构，其带有自清洁功能不易于细菌的粘附滋生。
基本信息
专利标题 ：
一种纳米Ag-Zn双层点阵涂层的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111876734A
申请号 ：
CN202010684024.9
公开（公告）日 ：
2020-11-03
申请日 ：
2020-07-16
授权号 ：
CN111876734B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
唐正强赵一舟土旗刘凡林诗翔
申请人 ：
贵州大学
申请人地址 ：
贵州省贵阳市花溪区贵州大学花溪北校区科技处
代理机构 ：
贵阳中新专利商标事务所
代理人 ：
胡绪东
优先权 ：
CN202010684024.9
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 B82Y40/00 C23C14/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2020-11-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20200716
申请日 : 20200716
2020-11-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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