一种层状双氢氧化物纳米片-硫化铜量子点异质纳米复合体的制...
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摘要
本发明公开了一种层状双氢氧化物纳米片‑硫化铜量子点异质纳米复合体的制备方法，采用原位生长法，将硫化铜量子点生长于层状双氢氧化物纳米片上，利用聚合物限域作用，CuS独立地散步于LDH上而不发生团聚。本发明制得的层状双氢氧化物纳米片‑硫化铜量子点异质纳米复合体一方面具有光热性质，能将近红外光照后转化热能，发挥肿瘤光热治疗效果；另一方面，所形成的金属‑半导体异质结构有助于硫化铜在近红外光照下电子和空穴的分离，从而更高效地催化肿瘤细胞内产生具有生物毒性的活性氧，杀死肿瘤细胞。
基本信息
专利标题 ：
一种层状双氢氧化物纳米片-硫化铜量子点异质纳米复合体的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111840548A
申请号 ：
CN202010695427.3
公开（公告）日 ：
2020-10-30
申请日 ：
2020-07-17
授权号 ：
CN111840548B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
陈爱政刘晨光王士斌
申请人 ：
华侨大学
申请人地址 ：
福建省泉州市丰泽区城东城华北路269号
代理机构 ：
厦门市首创君合专利事务所有限公司
代理人 ：
张松亭
优先权 ：
CN202010695427.3
主分类号 ：
A61K41/00
IPC分类号 ：
A61K41/00 A61K49/22 A61P35/00 B82Y30/00 B82Y40/00 C01F7/00 C01G3/12
IPC结构图谱
A
A部——人类生活必需
A61
医学或兽医学；卫生学
A61K
医用、牙科用或梳妆用的配制品
A61K41/00
用波能或粒子辐射处理材料的方法制得的医用配制品
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-11-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : A61K 41/00
申请日 : 20200717
申请日 : 20200717
2020-10-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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