一种高纯度、低成本二硅化钼的制备方法
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摘要

一种高纯度、低成本二硅化钼的制备方法,将原料三氧化钼、二氧化硅和高纯石墨粉,加入工业干粉成型剂,在混料器中混料,按照1公斤每份放入油压机压制,获得压制块料;将压制块料用500公斤真空无压烧结炉真空烧结,送电抽真空至3Pa,350℃烧结1小时‑2小时,1620℃保温,炉内真空度为20Pa‑25Pa之间继续升温;1850℃保温10小时‑15小时,降温,温度降低1250℃,真空度抽到3Pa‑4Pa,保温5小时,硅和钼充分化合,停电降温,得到二硅化钼。以氧化钼为原料,原料成本低廉,且整个工艺合理可控,可以制备出单相高纯度二硅化钼,适合工业化生产。

基本信息
专利标题 :
一种高纯度、低成本二硅化钼的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111847458A
申请号 :
CN202010761208.0
公开(公告)日 :
2020-10-30
申请日 :
2020-07-31
授权号 :
CN111847458B
授权日 :
2022-05-20
发明人 :
张洪涛
申请人 :
辽宁中色新材科技有限公司
申请人地址 :
辽宁省锦州市太和区大薛乡葛王村
代理机构 :
锦州辽西专利事务所(普通合伙)
代理人 :
王佳佳
优先权 :
CN202010761208.0
主分类号 :
C01B33/06
IPC分类号 :
C01B33/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/06
金属的硅化物
法律状态
2022-05-20 :
授权
2020-11-17 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 33/06
申请日 : 20200731
2020-10-30 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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