一种高纯度、低成本二硅化钼的制备方法
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摘要
一种高纯度、低成本二硅化钼的制备方法，将原料三氧化钼、二氧化硅和高纯石墨粉，加入工业干粉成型剂，在混料器中混料，按照1公斤每份放入油压机压制，获得压制块料；将压制块料用500公斤真空无压烧结炉真空烧结，送电抽真空至3Pa，350℃烧结1小时‑2小时，1620℃保温，炉内真空度为20Pa‑25Pa之间继续升温；1850℃保温10小时‑15小时，降温，温度降低1250℃，真空度抽到3Pa‑4Pa，保温5小时，硅和钼充分化合，停电降温，得到二硅化钼。以氧化钼为原料，原料成本低廉，且整个工艺合理可控，可以制备出单相高纯度二硅化钼，适合工业化生产。
基本信息
专利标题 ：
一种高纯度、低成本二硅化钼的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111847458A
申请号 ：
CN202010761208.0
公开（公告）日 ：
2020-10-30
申请日 ：
2020-07-31
授权号 ：
CN111847458B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
张洪涛
申请人 ：
辽宁中色新材科技有限公司
申请人地址 ：
辽宁省锦州市太和区大薛乡葛王村
代理机构 ：
锦州辽西专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
王佳佳
优先权 ：
CN202010761208.0
主分类号 ：
C01B33/06
IPC分类号 ：
C01B33/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/06
金属的硅化物
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2020-11-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 33/06
申请日 : 20200731
申请日 : 20200731
2020-10-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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