一种DRAM内存时序配置方法和装置
授权
摘要
本发明公开一种DRAM内存时序配置方法和装置，其中方法包括如下步骤：在DRAM内存的预设位置写入第一数据；开启DRAM内存的TDQS功能；在DRAM内存的所述预设位置的部分位写入第二数据，第二数据的位数据与第一数据的位数据不同；关闭DRAM内存的TDQS功能；从DRAM内存的所述预设位置读出数据，判断读出数据是否等于第二数据；如果等于第二数据，则DRAM内存的识别结果为第一DRAM；如果不等于第二数据，则DRAM内存的识别结果为第二DRAM；根据识别结果以及预存的时序表获取对应的时序，所述时序表存储有第一DRAM对应的时序和第二DRAM对应的时序；配置所述对应的时序到DRAM内存。本发明可以识别不同线宽的内存颗粒，可以配置对应时序，提高内存效率。
基本信息
专利标题 ：
一种DRAM内存时序配置方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112099733A
申请号 ：
CN202010873494.X
公开（公告）日 ：
2020-12-18
申请日 ：
2020-08-26
授权号 ：
CN112099733B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
何灿阳
申请人 ：
瑞芯微电子股份有限公司
申请人地址 ：
福建省福州市鼓楼区软件大道89号18号楼
代理机构 ：
福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐剑兵
优先权 ：
CN202010873494.X
主分类号 ：
G06F3/06
IPC分类号 ：
G06F3/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F3/048
基于图形用户界面的交互技术
G06F3/06
来自记录载体的数字输入，或者到记录载体上去的数字输出
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-01-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 3/06
申请日 : 20200826
申请日 : 20200826
2020-12-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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