一种晶体硅光伏电池的I-V特性拟合曲线确定方法
授权
摘要
本发明公开了一种晶体硅光伏电池的I‑V特性拟合曲线确定方法，以晶体硅光伏电池为对象，提出一种只需根据光伏电池自带的数据手册中的数据，无需求解超越方程和任何实测数据，以两条2阶Bezier函数分别对晶体硅光伏电池I‑V特性曲线最大功率点左右两侧进行简单拟合的方法，通过找出Bezier函数曲线控制点位置与晶体硅光伏电池填充因子之间的线性规律，进而给出满足工程精度要求晶体硅光伏电池的I‑V特性拟合曲线。
基本信息
专利标题 ：
一种晶体硅光伏电池的I-V特性拟合曲线确定方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112084657A
申请号 ：
CN202010940983.2
公开（公告）日 ：
2020-12-15
申请日 ：
2020-09-09
授权号 ：
CN112084657B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
师楠朱显辉王书侠苏勋文汤旭日吕品吴禹衡
申请人 ：
黑龙江科技大学
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市松北区浦源路2468号
代理机构 ：
北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李林合
优先权 ：
CN202010940983.2
主分类号 ：
G06F30/20
IPC分类号 ：
G06F30/20 G06F17/18
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/20
设计优化、验证或模拟
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-01-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/20
申请日 : 20200909
申请日 : 20200909
2020-12-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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