谐振器及其形成方法
实质审查的生效
摘要

一种谐振器及其形成方法,谐振器的形成方法包括:提供压电叠层结构,压电叠层结构包括第一区域和环绕第一区域的第二区域,压电叠层结构具有第一面和与第一面相背的第二面;在压电叠层结构的第一面上形成第一介电层;提供第一衬底,所述第一衬底的顶部具有顶部掺杂区;将第一介电层和第一衬底的顶部相键合;在压电叠层结构的第二面上形成第二介电层;刻蚀第二区域的第一介电层、压电叠层结构以及第二介电层,形成露出顶部掺杂区的第一开口和第二开口;在第一开口和第二开口中分别形成第一插塞和第二插塞。在谐振器工作时,第一插塞用于将后段的静电流引致第一衬底上,快速将肖特基二极管击穿,将后段的静电释放掉,有利于提高谐振器的电学性能。

基本信息
专利标题 :
谐振器及其形成方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114337584A
申请号 :
CN202011040491.4
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2020-09-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李伟黄河罗海龙
申请人 :
中芯集成电路(宁波)有限公司
申请人地址 :
浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢
代理机构 :
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
吴凡
优先权 :
CN202011040491.4
主分类号 :
H03H9/17
IPC分类号 :
H03H9/17  H03H3/02  H03H9/02  
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 9/17
申请日 : 20200928
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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