可用于神经形态计算的光电耦合钙钛矿忆阻器及制备方法
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摘要
本发明涉及一种可用于神经形态计算的光电耦合钙钛矿忆阻器及制备方法，该制备方法包括步骤：S1、选取基片；S2、在所述基片表面生长钙钛矿层；S3、在所述钙钛矿层表面的一端生长活性电极，另一端生长惰性电极；S4、在所述活性电极和所述惰性电极之间的所述钙钛矿层表面、所述活性电极上和所述惰性电极上生长透光绝缘层；S5、在所述透光绝缘层的表面生长本征Ga2O3层。该制备方法制备的钙钛矿忆阻器可以通过不同的光照实现信息的写入与存储，并通过施加负电脉冲实现信息的擦除，同时还拥有着正常的忆阻特性，可以运用到人工神经网络的计算功能中。
基本信息
专利标题 ：
可用于神经形态计算的光电耦合钙钛矿忆阻器及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112382726A
申请号 ：
CN202011075084.7
公开（公告）日 ：
2021-02-19
申请日 ：
2020-10-09
授权号 ：
CN112382726B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
王少熙沙建汪钰成熊雨轩阴玥
申请人 ：
西北工业大学
申请人地址 ：
陕西省西安市碑林区友谊西路127号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
尹晓雪
优先权 ：
CN202011075084.7
主分类号 ：
H01L51/05
IPC分类号 ：
H01L51/05 H01L51/10 H01L51/30 H01L51/40 H01L27/24
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法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-03-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/05
申请日 : 20201009
申请日 : 20201009
2021-02-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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