MOCVD反应系统及REBCO高温超导带材的制法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种MOCVD反应系统以及采用MOCVD技术制备REBCO高温超导带材的方法，其中MOCVD反应系统包括：MOCVD反应腔，布置于MOCVD反应腔内的加热基板，设于所述加热基板上方的气体分配器；所述气体分配器包括其上竖向贯通开设多个射流孔的射流板，每个所述射流孔与所述MOCVD反应腔直接连通。本申请的技术方案能够在提高沉积速率的同时，改善沉积速率的均匀性。
基本信息
专利标题 ：
MOCVD反应系统及REBCO高温超导带材的制法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114351118A
申请号 ：
CN202011091265.9
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2020-10-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
熊旭明王延凯田卡蔡渊袁文迮建军
申请人 ：
东部超导科技（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴江经济技术开发区庞金路1801号
代理机构 ：
苏州维进专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
程东辉
优先权 ：
CN202011091265.9
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/455
申请日 : 20201013
申请日 : 20201013
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
