第二代高温超导带材金属溅射靶材保护装置
授权
摘要
本实用新型涉及磁控溅射技术领域，具体涉及一种第二代高温超导带材金属溅射靶材保护装置，所述保护装置包括保护壳体、升降驱动装置和磁控溅射枪，保护壳体内设置有保护腔室，磁控溅射枪设置在保护腔室内，保护壳体的底部设置有闸板阀，所述闸板阀用于封闭保护腔室，所述升降驱动装置设置在保护壳体的顶部，所述磁控溅射枪通过伸缩杆与升降驱动装置连接。本实用新型通过保护腔室保护安装在磁控溅射枪上的靶材，让靶材处于保护腔室的真空保护状态，在更换基片或基带的过程中避免靶材氧化，减少换取基片样品过程中靶材氧化的相关影响，对促进易氧化靶材的连续制备研究，特别是第二代高温超导带材金属靶的高质量制备研究具有重要意义。
基本信息
专利标题 ：
第二代高温超导带材金属溅射靶材保护装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020275308.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-06
授权号 ：
CN211595781U
授权日 ：
2020-09-29
发明人 ：
夏钰东陈岚赵睿鹏陶伯万
申请人 ：
西南交通大学
申请人地址 ：
四川省成都市二环路北一段111号
代理机构 ：
成都华飞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杜群芳
优先权 ：
CN202020275308.8
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/16 C23C14/58
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-09-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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