一种SiOx修饰的氧化亚铜薄膜的制备方法
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摘要
一种SiOx修饰的氧化亚铜薄膜的制备方法。步骤如下：将表面清洗后的FTO导电玻璃浸没于铜盐和乳酸混合溶液中，加入氢氧化钠调节PH为碱性，经电沉积后，取出FTO导电玻璃；在去离子水，APTMS，TiCl3为一定比例的溶液中浸泡。再用去离子水冲洗，放在加热板上晾干。得到的薄膜样品放入管式炉中，在氮气保护条件下加热，得到SiOx的修饰的氧化亚铜薄膜。本发明制备工艺简单、原料低廉、操作容易、制备成本低且清洁无污染；制得的SiOx修饰的氧化亚铜薄膜，光稳定性更好，表面态得到保护，降低了电子与空穴对复合的几率，提高了氧化亚铜薄膜的光电催化分解水性能，有望在工业生产领域得到应用。
基本信息
专利标题 ：
一种SiOx修饰的氧化亚铜薄膜的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114377676A
申请号 ：
CN202011108271.0
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王红艳李雯雯
申请人 ：
天津理工大学
申请人地址 ：
天津市西青区宾水西道391号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202011108271.0
主分类号 ：
B01J23/72
IPC分类号 ：
B01J23/72 B01J35/00 B01J35/02 B01J37/34 C01B3/04
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B01
一般的物理或化学的方法或装置
B01J
化学或物理方法，例如，催化作用或胶体化学；其有关设备
B01J23/00
不包含在B01J21/00组中的，包含金属或金属氧化物或氢氧化物的催化剂
B01J23/70
铁系金属或铜的
B01J23/72
铜
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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