裂缝停止结构
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种裂缝停止结构，包括：第一裂缝停止线，包括相对设置的第一阻塞线组和第二阻塞线组；其中，第一阻塞线组和第二阻塞线组均包括多个阻塞线；每个阻塞线在竖直方向上包括至少一个互连线；在同一水平面的所述第一阻塞线组的互连线与所述第二阻塞线组的互连线交错设置，以在第一阻塞线组的互连线与第二阻塞线组的互连线之间形成从第一裂缝停止线的一侧延伸到另一侧的弯曲通道。本申请的裂缝停止结构，包括两条裂缝停止线，从而对裂缝形成双重阻止；第一裂缝停止线包括相对设置的第一阻塞线组和第二阻塞线组，第一阻塞线组的阻塞线与第二阻塞线组的阻塞线交错设置，能够有效阻止裂缝延伸前进，减少削片破裂等情况的发生。
基本信息
专利标题 ：
裂缝停止结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388449A
申请号 ：
CN202011140778.4
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柳圣浩高建峰刘卫兵白国斌
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘广达
优先权 ：
CN202011140778.4
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00 H01L23/528
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/00
申请日 : 20201022
申请日 : 20201022
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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