基于测试元件组图案的关键路径复制实例测量方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种基于测试元件组图案的关键路径复制实例测量方法，包括：选定半导体存储器件产品电路设计中的关键路径；复制所述关键路径，得到关键路径复制实例；对关键路径复制实例进行布局，形成测试元件组图案；以与对实际存储器件产品电路进行测试时相同的处理条件测量测试元件组图案，得到测量结果。本申请的方法复制得到关键路径复制实例，对关键路径复制实例进行布局，形成测试元件组图案，以与对实际存储器件产品电路进行测试时相同的处理条件测量测试元件组图案，得到测量结果，在存储器件产品功能测试之前即可完成测量过程，降低了测量成本，提高了工作效率。
基本信息
专利标题 ：
基于测试元件组图案的关键路径复制实例测量方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388041A
申请号 ：
CN202011142208.9
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙永载张欣杨涛赵劼
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘广达
优先权 ：
CN202011142208.9
主分类号 ：
G11C29/00
IPC分类号 ：
G11C29/00 G11C29/50 G11C29/54
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 29/00
申请日 : 20201022
申请日 : 20201022
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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