一种基片集成差分双极化介质谐振器天线
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摘要
本发明公开了一种基片集成差分双极化介质谐振器天线，包括顶层金属结构、上层介质结构、中间层金属结构、下层介质结构以及底层金属结构。顶层金属结构、上层介质结构和中间层金属结构构成一个田字型基片集成背腔介质谐振器。底层金属结构与中间层金属结构、下层介质结构构成一对水平方向微带馈线和一对垂直方向微带馈线，分别对应一对差分端口。具有TEx111模和TEy111模的田字型基片集成背腔介质谐振器结合微带耦合馈电形成宽带、低剖面的基片集成差分双极化介质谐振器天线，便于与其它电路集成。上层介质结构的金属化通孔与顶层金属结构和中间层金属结构相连，形成环型背腔结构，保证了天线基片集成的可实现性，同时提高了天线增益。
基本信息
专利标题 ：
一种基片集成差分双极化介质谐振器天线
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112332086A
申请号 ：
CN202011164133.4
公开（公告）日 ：
2021-02-05
申请日 ：
2020-10-27
授权号 ：
CN112332086B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
施金邓小威唐慧徐凯王磊
申请人 ：
南通大学;南通先进通信技术研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市崇川区啬园路9号
代理机构 ：
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴旭
优先权 ：
CN202011164133.4
主分类号 ：
H01Q1/38
IPC分类号 ：
H01Q1/38 H01Q1/50 H01P7/10
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-02-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01Q 1/38
申请日 : 20201027
申请日 : 20201027
2021-02-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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