一种大功率磁场辐射源的等效模拟方法

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摘要

本发明提供了一种大功率磁场辐射源的等效模拟方法，包括通过交流磁偶极子阵列等效模拟，实现了在不得知大功率磁场辐射源的物理模型、内部结构的情况下，根据实际设备的简单磁场分布测量结果和计算步骤模拟大功率磁场辐射源的磁场辐射特性的功能。本发明根据实际设备的磁场分布测量结果，利用磁偶极子阵列等效模拟的方法，较为准确的模拟出大功率磁场辐射源的磁场辐射特性，原理简洁明晰，为大功率设备磁场辐射特性的研究提供了便利准确的方法。

基本信息

专利标题：

一种大功率磁场辐射源的等效模拟方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112285435A

申请号：

CN202011181098.7

公开（公告）日：

2021-01-29

申请日：

2020-10-29

授权号：

CN112285435B

授权日：

2022-04-22

发明人：

华成超黄琛陈亮王之立王文卓

申请人：

中国舰船研究设计中心

申请人地址：

湖北省武汉市武昌区紫阳路268号

代理机构：

湖北武汉永嘉专利代理有限公司

代理人：

胡建平

优先权：

CN202011181098.7

主分类号：

G01R29/08

IPC分类号：

G01R29/08