一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法
授权
摘要
本发明公开一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法。所述不同特殊形貌MoS2晶体材料的制备方法为：采用化学气相沉积法，以Si/SiO2为衬底，纳米级MoO3粉末为Mo源，衬底倒扣在粉末上方构建狭小的限域空间，与硫蒸气反应，在衬底上制备得到了不同特殊形貌的MoS2晶体材料，即梯形、平行四边形、不规则平行四边形。所得不同形貌MoS2晶体材料，可作为晶体管的沟道材料应用于超薄电子器件领域。本发明所述制备方法选用衬底与材料源之间构建狭小的限域空间，成功实现不同特殊形貌二维MoS2晶体材料的生长，从而有助于进一步研究二维材料的生长理论。
基本信息
专利标题 ：
一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112663139A
申请号 ：
CN202011209596.8
公开（公告）日 ：
2021-04-16
申请日 ：
2020-11-03
授权号 ：
CN112663139B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
陈飞姜夏苏伟涛
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
代理机构 ：
杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
朱亚冠
优先权 ：
CN202011209596.8
主分类号 ：
C30B25/16
IPC分类号 ：
C30B25/16 C30B28/14 C30B29/46 C30B29/64 H01L29/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/16
控制或调节
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2021-05-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 25/16
申请日 : 20201103
申请日 : 20201103
2021-04-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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