基于二维材料的晶体管及其制备方法
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摘要
在本公开中，提供一种基于二维材料的晶体管，包括：衬底；栅电极，位于衬底上；栅介质层，位于栅电极上；有源层，由二维材料构成，位于栅介质层上；偶极矩层，为薄膜包裹的液体材料，位于有源层上；源电极以及漏电极，位于有源层上；还提供一种基于二维材料的晶体管的制备方法，用于制备以上的基于二维材料的晶体管，基于二维材料的晶体管的制备方法，包括：步骤A：在绝缘层衬底上制备金属栅电极；步骤B：在步骤A所制备的金属栅电极上沉积栅介质层；步骤C：在步骤B所沉积的栅介质层上制备有源层；步骤D：在步骤C所制备的有源层上制作源电极和漏电极；以及步骤E：在步骤C所制备的有源层上制备偶极矩层，完成基于二维材料的晶体管的制备。
基本信息
专利标题 ：
基于二维材料的晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109671781A
申请号 ：
CN201811562389.3
公开（公告）日 ：
2019-04-23
申请日 ：
2018-12-20
授权号 ：
CN109671781B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
卢年端李泠揣喜臣杨冠华耿玓刘明
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李坤
优先权 ：
CN201811562389.3
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L21/34
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2019-05-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20181220
申请日 : 20181220
2019-04-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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