基于二维材料的晶体管及其制备方法
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摘要
在本公开中,提供一种基于二维材料的晶体管,包括:衬底;栅电极,位于衬底上;栅介质层,位于栅电极上;有源层,由二维材料构成,位于栅介质层上;偶极矩层,为薄膜包裹的液体材料,位于有源层上;源电极以及漏电极,位于有源层上;还提供一种基于二维材料的晶体管的制备方法,用于制备以上的基于二维材料的晶体管,基于二维材料的晶体管的制备方法,包括:步骤A:在绝缘层衬底上制备金属栅电极;步骤B:在步骤A所制备的金属栅电极上沉积栅介质层;步骤C:在步骤B所沉积的栅介质层上制备有源层;步骤D:在步骤C所制备的有源层上制作源电极和漏电极;以及步骤E:在步骤C所制备的有源层上制备偶极矩层,完成基于二维材料的晶体管的制备。
基本信息
专利标题 :
基于二维材料的晶体管及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN109671781A
申请号 :
CN201811562389.3
公开(公告)日 :
2019-04-23
申请日 :
2018-12-20
授权号 :
CN109671781B
授权日 :
2022-04-12
发明人 :
卢年端李泠揣喜臣杨冠华耿玓刘明
申请人 :
中国科学院微电子研究所
申请人地址 :
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
李坤
优先权 :
CN201811562389.3
主分类号 :
H01L29/786
IPC分类号 :
H01L29/786 H01L21/34
法律状态
2022-04-12 :
授权
2019-05-17 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20181220
申请日 : 20181220
2019-04-23 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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