一种铌掺杂二维硫化钨晶体材料的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种铌掺杂二维硫化钨晶体材料的制备方法，采用化学气相沉积法，以Si/SiO2为衬底，金属钨箔为钨源，金属铌箔为铌源，生长衬底倒扣在金属钨箔上，金属铌箔面积小于金属钨箔面积，生长衬底一端直接与金属钨箔接触，另一端在铌源的正上方，与硫蒸气反应，在衬底上制备得到了一种铌掺杂二维硫化钨晶体材料。所得的单层铌掺杂硫化钨晶体材料，可作为晶体管的沟道材料应用于超薄高效场效应晶体管领域。
基本信息
专利标题 ：
一种铌掺杂二维硫化钨晶体材料的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114540956A
申请号 ：
CN202111641662.3
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈飞夏媛吕秋燃苏伟涛
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市钱塘新区白杨街道2号大街1158号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202111641662.3
主分类号 ：
C30B29/46
IPC分类号 ：
C30B29/46 C30B25/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/46
含硫、硒或碲的化合物
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/46
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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