基于原子占位有序化行为的高熵合金晶格畸变量计算方法
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摘要

本发明涉及一种基于原子占位有序化行为的高熵合金晶格畸变量计算方法,包括以下步骤:步骤S1:构建相应的热力学模型;步骤S2:计算高熵合金中各个端基化合物和单质元素的吉布斯自由能热力学数据的离散值;步骤S3:构建高熵合金端基化合物热力学数据库;步骤S4:计算获得给定成分和温度条件下,高熵合金中各种元素在亚晶格上的占位分数;步骤S5:构建出高熵合金中原子实际分布的结构模型;步骤S6:获得结构优化后的结构模型;步骤S7:根据结构优化后的结构模型,代入预设的晶格畸变公式,计算得到高熵合金的总畸变量、平均畸变量和相对晶格畸变量。本发明实现对高熵合金的晶格畸变效应进行定量化计算。

基本信息
专利标题 :
基于原子占位有序化行为的高熵合金晶格畸变量计算方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112349352A
申请号 :
CN202011230742.5
公开(公告)日 :
2021-02-09
申请日 :
2020-11-06
授权号 :
CN112349352B
授权日 :
2022-05-27
发明人 :
吴波刘涟赵艳杨开焕刘扬白雪刘俊超张隆昆何智汉
申请人 :
福州大学
申请人地址 :
福建省福州市闽侯县福州大学城乌龙江北大道2号福州大学
代理机构 :
福州元创专利商标代理有限公司
代理人 :
陈明鑫
优先权 :
CN202011230742.5
主分类号 :
G16C10/00
IPC分类号 :
G16C10/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G16
特别适用于特定应用领域的信息通信技术
G16C
计算化学;化学信息学; 计算材料科学
G16C10/00
计算理论化学,例如特别适用于量子化学、分子力学、分子动力学等的理论方面的ICT
法律状态
2022-05-27 :
授权
2021-03-02 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G16C 10/00
申请日 : 20201106
2021-02-09 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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