一种硅基合金材料、其制备方法、大电阻薄膜及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种硅基合金材料的制备方法，包括以下步骤：A)将硅基合金在粗坯容器中进行热处理脱氧，得到合金材料粗坯；所述硅基合金包括60～99wt％的硅和1～40wt％的合金金属，所述合金金属为铝、锌铝、锑、铬和镍中的一种或几种；B)将所述合金材料粗坯依次进行冷等静压和热等静压处理，得到硅基合金材料。本发明通过对硅基合金配方、靶材的制备工艺以及薄膜的制备工艺三部分进行改进，制备得到的硅基合金靶材无形变无裂纹，由该合金材料靶材制备得到的大电阻薄膜有良好的防静电能力，又不能影响电子产品的灵敏度。本发明还提供了一种硅基合金材料、大电阻薄膜及其制备方法。
基本信息
专利标题 ：
一种硅基合金材料、其制备方法、大电阻薄膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114438461A
申请号 ：
CN202011233378.8
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-11-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄永香
申请人 ：
湖南七点钟文化科技有限公司
申请人地址 ：
湖南省湘潭市湘潭经开区大众东路2号办公楼301室
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
付丽
优先权 ：
CN202011233378.8
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 B22F3/04 B22F3/15 B22F3/24 B22F5/00 C23C14/14 H01C7/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20201106
申请日 : 20201106
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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