一种扩散设备及其加热控制方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种扩散设备及其加热控制方法，该扩散设备包括：扩散炉体，用于放置待扩散加工的晶圆，扩散炉体内自上而下划分成多个加热区域；多个加热装置，用于给扩散炉体加热，依照扩散炉体的高度方向设置在扩散炉体的侧壁上，且加热装置与加热区域一一对应设置；多个监测装置，与多个加热装置一一对应设置，用于监测加热装置中加热电阻的阻值，并将加热电阻的阻值发送给报警装置；报警装置，用于将加热电阻的阻值与预设阻值进行比较，若比较结果符合预设条件则报警。本公开的扩散设备，通过对加热电阻的阻值进行监测，在品质事故发生前可以感知风险，从而将工艺不良风险在事前予以排除，避免损失。
基本信息
专利标题 ：
一种扩散设备及其加热控制方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520162A
申请号 ：
CN202011301161.6
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-11-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李殷廷李亭亭项金娟田光辉丁云凌王佳
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘广达
优先权 ：
CN202011301161.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/22 C30B31/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20201119
申请日 : 20201119
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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