使用熔丝的可调整列地址加扰

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摘要

本标的物涉及使用熔丝的可调整列地址加扰。测试装置可检测存储器阵列的第一列平面中的第一错误及所述存储器阵列的第二列平面中的第二错误。所述测试装置可基于检测到所述第一错误及所述第二错误来识别与所述第一错误相关联的所述第一列平面的第一列地址及所述第二列平面的第二列地址。所述测试装置可对于所述第一列平面确定用于将所述第一列平面的列地址加扰到所述第一列平面的不同列地址的配置。在一些情况下，所述测试装置可执行与所述第一列平面相关联的熔丝的熔丝熔断以实施所述经确定配置。

基本信息

专利标题：

使用熔丝的可调整列地址加扰

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113012747A

申请号：

CN202011301401.2

公开（公告）日：

2021-06-22

申请日：

2020-11-19

授权号：

CN113012747B

授权日：

2022-04-05

发明人：

J·S·雷赫迈耶C·G·维杜威特G·B·雷德S·艾克迈尔D·甘斯

申请人：

美光科技公司

申请人地址：

美国爱达荷州

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：

王龙

优先权：

CN202011301401.2

主分类号：

G11C29/18

IPC分类号：

G11C29/18 G11C29/42 G11C29/44