一种铁修饰的羟基硫化镍超薄纳米片阵列、制备方法及其应用
公开
摘要
本发明涉及一种铁修饰的羟基硫化镍超薄纳米片阵列、制备方法及其应用。该材料为生长在块体镍衬底上的无定形的铁修饰羟基硫化镍纳米片阵列。通过两步氧化法制备得到，制备方法简单高效，且铁的掺入有利于提高催化剂的导电性，提升了电子的转移能力，从而促进了电解水析氧反应(OER)。该催化剂表现出了优异的OER催化活性，在电流密度下为10，100和500mA cm‑2时，所需过电势最低可至221，265和322mV，远低于纯的羟基硫化镍超薄纳米片阵列。同时，该催化剂能够在10～500mA cm‑2的电流密度下稳定运行。
基本信息
专利标题 ：
一种铁修饰的羟基硫化镍超薄纳米片阵列、制备方法及其应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114561649A
申请号 ：
CN202011361120.6
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2020-11-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
余颖黄楚强邱明强
申请人 ：
华中师范大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区珞瑜路152号华中师范大学
代理机构 ：
湖北武汉永嘉专利代理有限公司
代理人 ：
乔宇
优先权 ：
CN202011361120.6
主分类号 ：
C25B1/04
IPC分类号 ：
C25B1/04 C25B11/052 C25B11/091 B82Y40/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C25
电解或电泳工艺；其所用设备
C25B
生产化合物或非金属的电解工艺或电泳工艺；其所用的设备
C25B1/04
通过电解水
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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