半导体存储器
公开
摘要
本发明涉及一种半导体存储器,包括负压提供单元,用于在读操作时给字线提供第一负电压,负压提供单元包括:钳位单元,包括输入端、控制端及输出端,输入端连接半导体存储器的公共接地端,控制端用于接收第一信号;储能电容,第一端连接所述输出端,第二端用于接收第二信号;负压提供端,与所述第一端连接;钳位单元用于在第一信号为“0”时将输出端的电压拉至输入端的电压,还用于在第一信号为“1”时将输出端钳位在钳位电压。本发明不仅待机模式无静态直流功耗,而且负压提供端输出的负压建立过程很快,能实现实时启动,满足半导体存储器的高速读操作条件。还可以通过钳位单元将负压提供单元提供的第一负电压限制在可控范围内。
基本信息
专利标题 :
半导体存储器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114582406A
申请号 :
CN202011378889.9
公开(公告)日 :
2022-06-03
申请日 :
2020-11-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈斌李有慧顾明赵鑫淼王浩郭术明王宗传张楠
申请人 :
无锡华润上华科技有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
代理机构 :
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 :
虞凌霄
优先权 :
CN202011378889.9
主分类号 :
G11C16/30
IPC分类号 :
G11C16/30 G11C16/10 G11C16/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的,例如,FAMOS
G11C16/30
供电电路
法律状态
2022-06-03 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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