本发明揭示了一种半导体装置，包括具有存储晶体管和选择晶体管的非易失性存储单元和周边电路晶体管。该存储晶体管包括设置在半导体基板上的存储栅氧化膜和设置在该存储栅氧化膜上由多晶硅制成的浮置栅极。该选择晶体管与该存储晶体管串联连接，并且包括设置在该半导体基板上的选择栅极氧化膜和设置在该选择栅极氧化膜上由多晶硅制成的选择栅。该周边电路晶体管包括设置在该半导体基板上的周边电路栅氧化膜和设置在该周边电路栅氧化膜上由多晶硅制成的周边电路栅。该存储栅氧化膜设置成比该周边电路栅氧化膜薄。