半导体装置
公开
摘要
公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括包含第一有源区、第二有源区和隔离区的基底。隔离层图案填充位于基底中的沟槽。第一栅极绝缘层图案和第一栅电极结构形成在第一有源区上。第二栅极绝缘层图案和第二栅电极结构形成在第二有源区上。第一栅电极结构包括第一多晶硅图案、第二多晶硅图案和第一金属图案。第二栅电极结构包括第三多晶硅图案、第四多晶硅图案和第二金属图案。隔离层图案的上表面高于第一多晶硅图案和第三多晶硅图案中的每个的上表面。第一多晶硅图案和第三多晶硅图案中的每个的侧壁接触隔离层图案的侧壁。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497068A
申请号 ：
CN202110973142.6
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-08-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
沈在龙郑基容吴东植韩智勋
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈晓博
优先权 ：
CN202110973142.6
主分类号 ：
H01L27/11573
IPC分类号 ：
H01L27/11573
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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