半导体装置
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种半导体装置，其中包括一叠层以及多个存储器串列。叠层形成于一衬底上，叠层包括交替叠层的多个导电层及多个绝缘层。存储器串列沿着一第一方向穿过叠层，各个存储器串列包括第一导电柱及第二导电柱、一通道层以及一存储器结构。第一导电柱及一第二导电柱分别沿着第一方向延伸且彼此电性隔离。通道层沿着第一方向延伸，其中通道层设置于第一导电柱与第二导电柱之间，且通道层耦接于第一导电柱与第二导电柱。存储器结构绕该第一导电柱、第二导电柱及通道层。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551453A
申请号 ：
CN202011384382.4
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李冠儒
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
任岩
优先权 ：
CN202011384382.4
主分类号 ：
H01L27/11521
IPC分类号 ：
H01L27/11521 H01L27/11556 H01L27/11568 H01L27/11582
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11521
申请日 : 20201201
申请日 : 20201201
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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