本公开涉及一种半导体装置及制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括：包括交替堆叠的第一导电层和绝缘层的叠层；设置在所述叠层上的第二导电层；设置在所述叠层上并且被配置为使各个所述第二导电层彼此绝缘的分离绝缘结构；穿过所述叠层的第一沟道层；围绕第一沟道层的侧壁的存储器层；设置在所述叠层上并穿过所述第二导电层的第二沟道层，每个所述第二沟道层的宽度小于所述第一沟道层的宽度；围绕第二沟道层的侧壁的栅极绝缘层；以及被配置为分别将各个所述第一沟道层与各个所述第二沟道层联接并且延伸到所述第二沟道层中的第三沟道层。