一种用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的重入式腔体传感器
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摘要

一种用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的重入式腔体传感器,包含谐振腔和共面波导馈电线。谐振腔由四块介质基板纵向叠加组成,每块介质基板均设多个金属化通孔形成谐振腔的金属边界。第二与第三介质基板中间的金属层均刻蚀有一长条凹槽。所有介质基板各刻蚀一个非金属通孔贯通作为介电常数传感区域,第三和第四介质基板的介质层各刻蚀一长条凹槽为磁导率传感区域。粉末样品装载于聚四氟乙烯管中分别放入两个传感区域进行测量。本发明将折叠技术应用于衬底集成波导重入式谐振腔,缩减了尺寸,并通过弱耦合馈电提高谐振腔的品质因数,同时在谐振腔强磁场区引入复磁导率传感区域,获得一种结构紧凑、易于加工与集成的全面表征磁性粉末磁介电特性的多功能传感器。

基本信息
专利标题 :
一种用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的重入式腔体传感器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112684259A
申请号 :
CN202011398508.3
公开(公告)日 :
2021-04-20
申请日 :
2020-12-04
授权号 :
CN112684259B
授权日 :
2022-04-22
发明人 :
黄杰向宇涵
申请人 :
西南大学
申请人地址 :
重庆市北碚区天生路2号
代理机构 :
重庆华科专利事务所
代理人 :
康海燕
优先权 :
CN202011398508.3
主分类号 :
G01R27/26
IPC分类号 :
G01R27/26  G01R33/12  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R27/00
测量电阻、电抗、阻抗或其派生特性的装置
G01R27/02
电阻、电抗、阻抗或其派生的其他两端特性,例如时间常数的实值或复值测量
G01R27/26
电感或电容的测量;品质因数的测量,例如通过应用谐振法;损失因数的测量;介电常数的测量
法律状态
2022-04-22 :
授权
2021-05-07 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 27/26
申请日 : 20201204
2021-04-20 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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