一种中子敏感复合膜及其制备方法、中子敏感微通道板
公开
摘要
本申请提供一种中子敏感复合膜及其制备方法、中子敏感微通道板，属于电子器件技术领域。中子敏感复合膜包括交替层叠布置的中子敏感层和金属单质层。中子敏感层的材质包括BN或10BN。交替层叠布置的中子敏感层和金属单质层能够优化中子敏感复合膜的中子探测能力，且金属单质层使中子敏感复合膜具有导电性。利用原子层沉积法在微通道板内壁制备得到表面致密且厚度均匀的中子敏感复合膜，使微通道板获得较好的中子探测能力，提升中子敏感复合膜的中子探测效率。同时，通过调控原子层沉积的重复次数，可以精确控制每一层中子敏感层和金属单质层的厚度，以及精确控制整个中子敏感复合膜的厚度，从而设计得到具有预设电阻的中子敏感复合膜。
基本信息
专利标题 ：
一种中子敏感复合膜及其制备方法、中子敏感微通道板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613658A
申请号 ：
CN202011416105.7
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵卫孙蒙雅朱香平韦永林
申请人 ：
松山湖材料实验室
申请人地址 ：
广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
余菲
优先权 ：
CN202011416105.7
主分类号 ：
H01J43/24
IPC分类号 ：
H01J43/24 H01J47/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J43/00
二次发射管；电子倍增管
H01J43/04
电子倍增器
H01J43/06
电极装置
H01J43/18
主要用一个以上倍增极的电极装置
H01J43/24
沿其表面有电位梯度的倍增极
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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