验证方法、装置、电子设备及可读存储介质
授权
摘要

本申请提供一种验证方法、装置、电子设备及可读存储介质,验证方法包括:从版图中被放弃的冲突区域中,筛选出第一冲突区域;第一冲突区域为被放弃的冲突区域中,与密度相关的冲突区域;在芯片投片后,对芯片测试中的测试数据进行扫描链诊断,得到缺陷点;将得到的缺陷点与第一冲突区域进行相交判断,得到各第一冲突区域相交的缺陷点的数量;将与各第一冲突区域相交的缺陷点的数量,与各第一冲突区域对应的缺陷风险阈值进行比较;确定缺陷点的数量大于缺陷风险阈值的第一冲突区域存在风险。这样,可以在一定程度上解决目前无法评估版图设计中被放弃的冲突区域对芯片实际流片的影响的问题。

基本信息
专利标题 :
验证方法、装置、电子设备及可读存储介质
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112597715A
申请号 :
CN202011462535.2
公开(公告)日 :
2021-04-02
申请日 :
2020-12-11
授权号 :
CN112597715B
授权日 :
2022-05-10
发明人 :
林健
申请人 :
海光信息技术股份有限公司
申请人地址 :
天津市滨海新区华苑产业区海泰西路18号北2-204工业孵化-3-8
代理机构 :
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
余菲
优先权 :
CN202011462535.2
主分类号 :
G06F30/33
IPC分类号 :
G06F30/33  G06F30/392  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/33
设计验证,例如功能仿真或模型检查
法律状态
2022-05-10 :
授权
2021-04-23 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/33
申请日 : 20201211
2021-04-02 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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