一种基于黑体辐射定律的SERF原子磁强计磁噪声抑制装置

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摘要

本发明提供了一种基于黑体辐射定律的SERF原子磁强计磁噪声抑制装置，包括低红外透射薄膜层、低红外发射材料涂层、氮化硼烤箱壁、氮化硼真空腔壁、低红外发射材料涂层、高电阻材料薄层、高磁导率铁磁材料层，所述氮化硼烤箱壁与氮化硼真空腔壁之间放置低红外透射薄膜层和低红外发射材料涂层，所述氮化硼真空腔壁与高磁导率铁磁材料层之间放置低红外发射材料涂层和高电阻材料薄层，本发明中，低红外透射薄膜层和低红外发射材料涂层反射由真空烤箱发射的热辐射，减少烤箱热量损失；低红外发射材料涂层和高电阻材料薄层抑制真空腔与铁磁材料层之间的辐射热传导，降低高磁导率铁磁材料层中的热磁化噪声，提高SERF原子磁强计的磁测量灵敏度。

基本信息

专利标题：

一种基于黑体辐射定律的SERF原子磁强计磁噪声抑制装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112505596A

申请号：

CN202011479130.X

公开（公告）日：

2021-03-16

申请日：

2020-12-16

授权号：

CN112505596B

授权日：

2022-04-22

发明人：

孙博文丁铭陆吉玺吴越张宁王子轩安宁

申请人：

之江实验室

申请人地址：

浙江省杭州市余杭区文一西路1818号

代理机构：

北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

奚丽萍

优先权：

CN202011479130.X

主分类号：

G01R33/032

IPC分类号：

G01R33/032 G01R33/00 H05K9/00