一种降低多壁碳纳米管结构缺陷的中子辐照处理方法
授权
摘要
本发明公开了一种降低多壁碳纳米管结构缺陷的中子辐照处理方法，该方法包含：采用能量为14MeV的快中子射线，中子通量为1×108，中子辐照多壁碳纳米管，以降低多壁碳纳米管的结构缺陷。本发明的处理方法利用低能量的快中子射线改善多壁碳纳米管的结构缺陷，通过D‑T中子管发射出的14MeV，通量为1×108的快中子射线，辐照多壁碳纳米管60～120min，可减少多壁碳纳米管的结构缺陷，提高多壁碳纳米管的石墨化程度和结构质量。
基本信息
专利标题 ：
一种降低多壁碳纳米管结构缺陷的中子辐照处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112456472A
申请号 ：
CN202011487962.6
公开（公告）日 ：
2021-03-09
申请日 ：
2020-12-16
授权号 ：
CN112456472B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
王娟朱浩刘洋
申请人 ：
西京学院
申请人地址 ：
陕西省西安市长安区西京路1号
代理机构 ：
北京众合诚成知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵浩竹
优先权 ：
CN202011487962.6
主分类号 ：
C01B32/168
IPC分类号 ：
C01B32/168 C01B32/21
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B32/00
碳；其化合物
C01B32/15
纳米级碳材料
C01B32/158
碳纳米管
C01B32/168
后处理
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-03-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 32/168
申请日 : 20201216
申请日 : 20201216
2021-03-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
