开口环阵列多频带高Q值透射型传感器及其制造方法
授权
摘要
基于环阵列的GHz多频带高Q值透射型传感器，包括：绝缘基板；金属层，被设置在绝缘基板表面；覆盖层，被设置在绝缘基板和金属层表面；其中，所述金属层包括四个L形部件以及四个T形部件，四个所述T形部件的尾部相连，四个L形部件包围在四个所述T形部件的外围，四个L形部件以及四个T形部件构造成中心对称分布的形状；当光入射到金属–绝缘介质结构时，在2‑8.5GHz工作范围内会出现5个窄带透射峰，然后在添加0.6μm厚度的覆盖层，以第四个透射峰值作为传感器工作频率，改变覆盖层的折射率，最终得到了最高灵敏度为0.532GHz/RIU，线性拟合R2值为0.9669，Q值最高为113.42，最低为59.03，达到了高的Q值。
基本信息
专利标题 ：
开口环阵列多频带高Q值透射型传感器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112730343A
申请号 ：
CN202011535949.3
公开（公告）日 ：
2021-04-30
申请日 ：
2020-12-23
授权号 ：
CN112730343B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
王继成包志瑀李璟文刘禹
申请人 ：
江南大学
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号
代理机构 ：
哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司
代理人 ：
林娟
优先权 ：
CN202011535949.3
主分类号 ：
G01N21/59
IPC分类号 ：
G01N21/59
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/17
入射光根据所测试的材料性质而改变的系统
G01N21/59
透射率
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2021-05-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 21/59
申请日 : 20201223
申请日 : 20201223
2021-04-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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