导电膜及含其的器件
授权
摘要
本发明提供了一种导电膜及含其的器件，导电膜包括第一导电材料和第二导电材料，第一导电材料包括第一导电体与包覆在第一导电体表面的第一配体，第二导电材料包括第二导电体与包覆在第二导电体表面的第二配体，第一配体与第二配体的亲疏性相斥。本申请的导电膜的导电材料分布均匀，实现了导电膜光透过率的提升。
基本信息
专利标题 ：
导电膜及含其的器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112820443A
申请号 ：
CN202011597517.5
公开（公告）日 ：
2021-05-18
申请日 ：
2020-12-29
授权号 ：
CN112820443B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
顾辛艳艾文玲
申请人 ：
纳晶科技股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区长河街道秋溢路428号3幢3楼
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202011597517.5
主分类号 ：
H01B5/00
IPC分类号 ：
H01B5/00 H01B5/14
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B5/00
按形状区分的非绝缘导体或导电物体
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-06-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01B 5/00
申请日 : 20201229
申请日 : 20201229
2021-05-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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