本发明公开了一种高效烟气脱汞吸附剂的制备新工艺。首先将商业化纳米二氧化铈在氢气气氛下等离子体处理，使其表面产生氧缺陷，将具有氧缺陷的纳米二氧化铈材料与硝酸盐溶液等体积浸渍得到吸附剂前驱体，再次利用低温等离子体放电技术，以氮气作为载气中，在高压放电条件下，高能自由基与前驱体材料碰撞使活性中心占据二氧化铈表面的氧空缺位，从而得到分散度良好的MOx/二氧化铈脱汞吸附剂。本发明提供的制备方法通过用金属氧化物占据纳米二氧化铈表面的氧缺陷，进一步提高了脱汞效率，同时克服了传统制备法中导致的吸附剂表面活性中心团聚等问题，具有重要的工业应用意义。