一种大电压裕度范围的匹配电路偏置方法
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摘要
本发明涉及一种大电压裕度范围的匹配电路偏置方法，包括主电路和偏置产生电路，主电路包括晶体管M1和M2，电源Vdd依次通过电阻R、晶体管M2和M1接地；偏置产生电路包括晶体管M3～M6，电源Vdd依次通过电流镜I0、晶体管M4和M3接地，电源Vdd依次通过电流镜I2、晶体管M6和M5接地；在偏置电路中设有电压裕度提升电路，电压裕度提升电路包括电阻Rs和电流源Is，在晶体管M4的漏极与晶体管M3的栅极之间串联电阻Rs，在电阻Rs的上下方向各串联电流源Is，在晶体管M5和M6之间插入晶体管Mx，将Vg2提升IsRs。本发明可以有效提升电流镜电压裕度范围，而更适合于有关大电压裕度范围的应用。
基本信息
专利标题 ：
一种大电压裕度范围的匹配电路偏置方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112860000A
申请号 ：
CN202011639163.6
公开（公告）日 ：
2021-05-28
申请日 ：
2020-12-31
授权号 ：
CN112860000B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
刘海涛徐宏林张理振沈逸骅
申请人 ：
中国电子科技集团公司第十四研究所
申请人地址 ：
江苏省南京市雨花台区国睿路8号
代理机构 ：
南京知识律师事务所
代理人 ：
刘丰
优先权 ：
CN202011639163.6
主分类号 ：
G05F3/26
IPC分类号 ：
G05F3/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制；调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F3/00
应用具有自调节性能的非控制元件或非控制元件的组合来调节电变量的非回授系统
G05F3/02
调节电压或电流的
G05F3/08
其中变量是直流的
G05F3/10
利用具有非线性特性的非控制器件
G05F3/16
非控制器件是半导体器件
G05F3/20
应用了二极管与三极管的组合
G05F3/26
电流反射镜
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-06-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G05F 3/26
申请日 : 20201231
申请日 : 20201231
2021-05-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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