一种低温可控核聚变装置
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摘要
涉及一种低温可控核聚变装置,不需要耐极高温的材料,它能够在较低的温度下,连续可控产生核聚变。在一个圆柱形的可控核聚变装置的中心处,有一个质子枪(1),真空腔(2),针状聚焦棒(3),窄隙聚焦腔(4),内壁(5),窄隙核聚焦腔的底部与内壁区域为核聚变微室(6),在内壁外侧有中子吸附层(7),中子吸附层的外侧为热交换层(8),在热交换层外侧为可控核聚变装置的外壁(9);质子枪喷出的氘或氚或氘氚混合正离子(10)在电场的加速下,向带负电的针状聚焦棒、内壁方向高速运动,在针状聚焦棒外壁的窄隙核聚变腔内向内壁组成的底部聚焦,其密度升高,氘氚混合粒子在窄隙核聚变腔底部附近相互碰撞,有一定的几率能产生核聚变反应。
基本信息
专利标题 :
一种低温可控核聚变装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020005068.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-01-02
授权号 :
CN211957137U
授权日 :
2020-11-17
发明人 :
储苏平储磊储国平
申请人 :
储苏平
申请人地址 :
上海市浦东新区新场镇新场大街369弄11号202室
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202020005068.X
主分类号 :
G21B3/00
IPC分类号 :
G21B3/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G21
核物理;核工程
G21B
聚变反应堆
G21B3/00
低温核子聚变反应堆,例如,所谓的冷聚变反应堆
法律状态
2020-11-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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