一种CVD碳化硅进气系统
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摘要
本实用新型涉及CVD碳化硅生产技术领域，尤其是一种CVD碳化硅进气系统，包括反应腔和混气罐，所述混气罐一侧固定连通有三个供气管，所述混气罐另一侧固定连通有进气管，所述反应腔一侧设置有真空泵，所述反应腔上还固定连通有出气管，所述反应腔外侧壁上呈周向均匀地固定连接有若干个固定机构，若干个所述固定机构上固定连接有通气管道，且所述通气管道缠绕在所述反应腔外侧壁上，所述进气管与所述通气管道之间相互连通，所述通气管道内侧呈周向均匀地固定连通有三个进气口，且三个所述进气口均分别与所述反应腔相连通。该CVD碳化硅进气系统通过多孔进气的方式，从而能够有效地解决了工件表面cvd沉积厚度不均匀的问题，实用性强。
基本信息
专利标题 ：
一种CVD碳化硅进气系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020014529.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-02
授权号 ：
CN211713197U
授权日 ：
2020-10-20
发明人 ：
白秋云
申请人 ：
成都超纯应用材料有限责任公司
申请人地址 ：
四川省成都市双流区西航港空港二路1166号
代理机构 ：
成都睿道专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
潘育敏
优先权 ：
CN202020014529.X
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2020-10-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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