一种在管材上制备偏晶合金薄层的设备
授权
摘要
本实用新型提供了一种在管材上制备偏晶合金薄层的设备，属于偏晶合金材料制备技术领域。本实用新型的设备在坩埚的侧壁上开设微孔，使坩埚内的液态原料在通气管路输入的高压气体的作用下快速喷至管材上，且管材在水冷装置的冷却下保持较低的温度，这样的设备保证了坩埚内的液态原料在喷至管材表面时实现了快速冷凝，提高液‑液相变的过冷度和弥散相液滴的形核率，而且能够缩短合金穿越液‑液相变温度区间的时间，有效地抑制了弥散相液滴长大、粗化、碰撞凝并、沉降或上浮现象，促进弥散型凝固组织的形成，在管材上成功制备了均一的偏晶合金薄层。
基本信息
专利标题 ：
一种在管材上制备偏晶合金薄层的设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020016018.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-06
授权号 ：
CN211665180U
授权日 ：
2020-10-13
发明人 ：
余建波
申请人 ：
高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室张家港产业中心
申请人地址 ：
江苏省张家港市锦丰钢贸中心
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020016018.1
主分类号 ：
C23C26/02
IPC分类号 ：
C23C26/02 C22C21/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C26/00
不包含在C23C2/00至C23C24/00各组中的镀覆
C23C26/02
基体上镀覆熔融材料的
法律状态
2020-10-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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