一种二次电子发射性能参数测试装置

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摘要

本实用新型公开了一种二次电子发射性能参数测试装置。本装置包括球形电子收集器，其由外向内依次是：球形收集极、球形抑制极和球形接地极；球形电子收集器固定在真空室内的电子收集器固定装置上，其上方设有入射电子孔，电子枪口由入射电子孔进入球形电子收集器内部，球形电子收集器的下方设有样品台进出孔；样品台升降旋转装置，包括安装在真空室外的磁流体控制器、真空室内的螺杆传动机构及与之连接的齿轮旋转机构，样品台与齿轮旋转机构连接，样品台从球形电子收集器下方开孔处进入其内部；磁流体控制器通过螺杆传动机构及与之连接的齿轮旋转机构驱动样品台上下移动及旋转；样品台一面用于放置待测样品，另一面上固定一次电子收集器。

基本信息

专利标题：

一种二次电子发射性能参数测试装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020028723.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-01-07

授权号：

CN211505286U

授权日：

2020-09-15

发明人：

闫保军刘术林温凯乐王玉漫张斌婷谷建雨

申请人：

中国科学院高能物理研究所

申请人地址：

北京市石景山区玉泉路19号(乙)

代理机构：

北京君尚知识产权代理有限公司

代理人：

司立彬

优先权：

CN202020028723.3

主分类号：

G01N23/2251

IPC分类号：

G01N23/2251