一种高低温闪存测试系统
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型公开了一种高低温闪存测试系统,包括测试仪本体,所述测试仪本体的上部设有测试座,所述测试座的一端通过连接轴座连接有覆压板,所述测试座的另一端连接有卡合座,所述测试仪本体内安装有散热风机,所述测试仪本体上通过安装座安装有加热板,所述测试仪本体内安装有控制模块,所述控制模块电性连接调压模块,所述调压模块电性连接市电网,所述控制模块电性连接显示屏、指示灯、加热板、散热风机和测温模块;本实用新型在测试仪本体内设有散热风机,实现在低温或着是常温下进行检测闪存卡,在测试仪本体内设有加热板,使得闪存卡能够在高温下进行检测,并且设有测温模块,实现对环境的参数进行检测。
基本信息
专利标题 :
一种高低温闪存测试系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020107790.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-01-18
授权号 :
CN211016547U
授权日 :
2020-07-14
发明人 :
张浩明李四林
申请人 :
武汉忆数存储技术有限公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东湖新技术开发区关山一路1号华中曙光软件园C幢306室
代理机构 :
武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
谢洋
优先权 :
CN202020107790.4
主分类号 :
G11C29/56
IPC分类号 :
G11C29/56 H05K7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/48
专门适用于从外部到存储器的静态存储中的测试装置,例如:用直接存储器存取或者用辅助访问路径
G11C29/56
用于静态存储器的外部测试装置,例如,自动测试设备;所用接口
法律状态
2022-04-19 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : G11C 29/56
变更事项 : 专利权人
变更前 : 武汉忆数存储技术有限公司
变更后 : 武汉置富半导体技术有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区关山一路1号华中曙光软件园C幢306室
变更后 : 430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区佳园路11号科研楼6-12层高新楼8楼806-807室
变更事项 : 专利权人
变更前 : 武汉忆数存储技术有限公司
变更后 : 武汉置富半导体技术有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区关山一路1号华中曙光软件园C幢306室
变更后 : 430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区佳园路11号科研楼6-12层高新楼8楼806-807室
2020-07-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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