场强分布可调的分裂式磁场辅助同轴激光熔覆装置
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摘要

场强分布可调的分裂式磁场辅助同轴激光熔覆装置,包括与激光光路同轴设置的激光传输通道、喷嘴,激光传输通道外套有轴套套筒,激光传输通道和轴套套筒的下端均连接喷嘴;轴套套筒与激光传输通道、喷嘴同轴心设置;轴套套筒上套接有轴套,轴套上套接卡槽环装置,卡槽环装置包括上锥齿轮卡槽环、传动锥齿轮、下锥齿轮卡槽环,其中传动锥齿轮与轴套固结,上锥齿轮卡槽环、下锥齿轮卡槽环分别通过轴承连接在轴套套筒上;传动锥齿轮的上下侧分别与上锥齿轮卡槽环、下锥齿轮卡槽环啮合。本实用新型的外加稳态磁场可随激光熔覆头同步移动,可以实现复杂路径的调控加工,方便快捷,适用范围广。

基本信息
专利标题 :
场强分布可调的分裂式磁场辅助同轴激光熔覆装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020179116.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-02-18
授权号 :
CN211921697U
授权日 :
2020-11-13
发明人 :
王梁罗建姚建华
申请人 :
浙江工业大学
申请人地址 :
浙江省杭州市下城区潮王路18号
代理机构 :
杭州天正专利事务所有限公司
代理人 :
王兵
优先权 :
CN202020179116.7
主分类号 :
C23C24/10
IPC分类号 :
C23C24/10  
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IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C24/00
自无机粉末起始的镀覆(熔融态覆层材料的喷镀入C23C4/00;固渗入C23C8/00-C23C12/00
C23C24/08
加热法或加压加热法的
C23C24/10
覆层中临时形成液相的
法律状态
2020-11-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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