分体式钼杆及设置分体式钼杆的单晶炉
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

一种分体式钼杆,包括支撑部分、连接部分,所述支撑部分为一个柱形杆状体,所述支撑部分的上端外环壁设有外螺纹,所述连接部分为一个柱形帽状体,所述连接部分的一端面设有沉孔,所述沉孔的内径与支撑部分的直径相等,在沉孔内环壁设有内螺纹,所述支撑部分的上端旋入连接部分的沉孔,以使支撑部分与连接部分螺纹连接,本实用新型中,将钼杆设计成分体式,一部分为连接部分,另一部分为支撑部分,在重复更换造成损坏的情况下,只需要更换连接部分,避免了整根钼部件有损坏后无法使用的状况,节省了成本,本实用新型还提供了设置分体式钼杆的单晶炉。

基本信息
专利标题 :
分体式钼杆及设置分体式钼杆的单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020190435.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-02-20
授权号 :
CN211420363U
授权日 :
2020-09-04
发明人 :
芮阳马成王忠保
申请人 :
宁夏银和半导体科技有限公司
申请人地址 :
宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路28号
代理机构 :
宁夏合天律师事务所
代理人 :
孙彦虎
优先权 :
CN202020190435.8
主分类号 :
C30B15/30
IPC分类号 :
C30B15/30  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/30
转动或移动熔体或晶体的机构
法律状态
2021-03-19 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C30B 15/30
变更事项 : 专利权人
变更前 : 宁夏银和半导体科技有限公司
变更后 : 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路28号
变更后 : 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路28号
2020-09-04 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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