低剖面高隔离度双极化基站天线
授权
摘要
本实用新型公开了低剖面高隔离度双极化基站天线，其特征在于，该天线包括第一基板、铜反射板、设置在该第一基板上表面的辐射贴片以及设置在该第一基板与铜反射板之间的馈电部分；其中：馈电部分至少包括第二基板和第三基板，第二基板和第三基板以±45°相互垂直交叉并以平面垂直的方式与第一基板和铜反射板固定连接；第二基板和第三基板设置相同贴片层并分别形成第一环天线和第二环天线，第一环天线和第二环天线以±45°相互垂直；第一同轴馈线和第二同轴线分别与第一环天线和第二环天线电气连接。本实用新型具有超宽带、低剖面、高隔离度、小型化、高增益等有益效果。
基本信息
专利标题 ：
低剖面高隔离度双极化基站天线
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020288436.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-11
授权号 ：
CN212011245U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
程知群周伟伟刘国华
申请人 ：
杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市富阳区银湖街道富闲路9号银湖创新中心6号9层937室
代理机构 ：
杭州昱呈专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
雷仕荣
优先权 ：
CN202020288436.6
主分类号 ：
H01Q1/24
IPC分类号 ：
H01Q1/24 H01Q1/38 H01Q1/50
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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