铌酸锂薄膜光波导芯片的光纤耦合结构及光器件
授权
摘要

本实用新型公开了一种铌酸锂薄膜光波导芯片的光纤耦合结构,所述光纤为锥形透镜光纤,其固定于套管上,所述套管固定在套管支撑底板上,所述锥形透镜光纤与铌酸锂薄膜光波导芯片的光波导对准。另外,还提供了一种基于上述结构的铌酸锂薄膜光器件。采用本实用新型提出的铌酸锂薄膜光波导的光纤耦合结构以及基于该耦合结构的光器件具有低耦合损耗、高可靠性、高稳定性的特点,可以有效地提升铌酸锂薄膜光器件在光纤通信、光纤传感、微波光子链路等使用环境的工程应用价值。

基本信息
专利标题 :
铌酸锂薄膜光波导芯片的光纤耦合结构及光器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020422347.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-03-29
授权号 :
CN211478703U
授权日 :
2020-09-11
发明人 :
李萍
申请人 :
天津领芯科技发展有限公司
申请人地址 :
天津市北辰区双街镇双街可信产业园B10-5-101
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202020422347.6
主分类号 :
G02B6/26
IPC分类号 :
G02B6/26  G02B6/10  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导;包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/24
光波导的耦合
G02B6/26
光耦合装置
法律状态
2020-09-11 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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