一种射频同轴连接器插接结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种射频同轴连接器插接结构,涉及射频同轴连接器技术领域,包括内导体,内导体的左侧固定设置有规格相同的上插片和下插片,上插片和下插片的左侧开设有阻挡部,上插片和下插片的相同位置均一体成型有大小相同的环状凸起,内导体的左端面固定设置有定位孔,内导体的右侧固定设置有插接部,插接部中部表面向外延伸有一圈凸缘,插接部上位于凸缘的右侧开设有供环状凸起放置的环形凹槽,插接部的后端设置有与定位孔大小相同的定位块,本实用新型由于内导体右端的插接部能够对应插入到其他相同规格的插片内,使得内导体的整个长度可以随着插入单个内导体数量的改变而改变,适用性广。
基本信息
专利标题 :
一种射频同轴连接器插接结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020425773.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-03-30
授权号 :
CN211377112U
授权日 :
2020-08-28
发明人 :
代文鹏戴国俊
申请人 :
江苏正迪微波技术有限公司
申请人地址 :
江苏省镇江市京口区潘宗路鑫鼎茂工业园5号楼5层
代理机构 :
南京创略知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
刘文艳
优先权 :
CN202020425773.5
主分类号 :
H01R24/40
IPC分类号 :
H01R24/40 H01R13/502 H01R13/627 H01R13/629 H01R13/639
法律状态
2020-08-28 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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